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三星展示3NM MBCFET芯片:使用纳米芯片结构制造晶体管

时间:2021-03-16 14:49:28 来源:

三星电子和台积电目前正计划进行3nm制程技术的研发。据报道,在IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,三星工程师分享了即将推出的3nm GAE MBCFET 芯片的制造细节 。

GAAFET晶体管(栅极全环场效应晶体管)在结构上有两种形式,它们是当前FinFET的升级版本。三星表示,传统的GAAFET工艺使用三层纳米线构造晶体管,并且栅极相对较薄。此外,三星MBCFET芯片工艺使用纳米片构造晶体管。目前,三星已经为MBCFET注册了商标。三星表示,这两种方法都可以达到3nm,但这取决于具体的设计。

三星MBCFET芯片

早在1988年就提出了第一个GAAFET晶体管的想法。这项技术允许设计人员通过调整晶体管通道的宽度来精确地控制性能和功耗。较宽的材料有助于在高功率下实现更高的性能;虽然较薄的材料可以降低功耗,但这会影响性能。

三星在2019年展示了3GAE流程的原理。该公司表示,与7LPP技术相比,3GAE可以将性能提高30%。它还实现了50%的功耗降低和80%的晶体管密度提高。

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