三星用HKMG DDR5芯片开发512GB DDR5模块

时间:2021-03-26 14:28:17来源:

三星宣布已开发出业界首个512GB内存模块,该模块使用其最新的DDR5存储设备,后者使用高k电介质作为绝缘体。新的DIMM专为使用DDR5内存的下一代服务器而设计,包括由AMD的Epyc'Genoa'和英特尔的Xeon可扩展'Sapphire Rapids'处理器提供支持的服务器。

三星的512GB DDR5注册DIMM(RDIMM)内存模块使用基于八个16Gb DRAM设备的32个16GB堆栈。8-Hi堆栈使用硅通孔互连来确保低功耗和高质量信号。由于某种原因,三星没有公开其RDIMM支持的最大数据传输速率,这并不是完全出乎意料的事情,因为该公司无法公开下一代服务器平台的规格。

三星512GB RDIMM的有趣之处在于,它使用了该公司最新的16 Gb DDR5存储设备,该设备用原来用于逻辑门的高k材料代替了传统的绝缘体,以降低泄漏电流。这并不是三星首次将HKMG技术用于内存,因为早在2018年,它就开始将HKMG技术用于高速GDDR6设备。从理论上讲,HKMG的使用也可以帮助三星的DDR5设备达到更高的数据传输速率。

三星表示,由于DDR5的电压降低,HKMG绝缘层和其他增强功能,其DDR5器件的功耗比以前的器件降低了13%,这对于针对服务器的512GB RDIMM尤其重要。

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