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据报道三星的第七代V-NAND闪存芯片将具有176层

时间:2020-09-09 11:38:59 来源:

今年早些时候,我们了解到三星计划开发业界首个160层或更高级别NAND闪存芯片的雄心壮志,但当时没有足够的信息来确切说明该公司的第七代V-NAND闪存将达到多少层。有。现在,根据The Bell引用行业人士的新报告,三星已经为下一代解决方案选择了176层配置。

有趣的是,据报道,三星的目标是其第七代V-NAND(3D NAND)闪存芯片具有多达192层,但由于未解释的原因,该公司最终决定减少176层。无论如何,至少根据最新消息,三星计划在2021年4月将第七代V-NAND投入量产。

这与最近关于三星在平泽芯片制造厂的扩张计划的另一份报告相吻合。它声称三星希望在平泽市投资2号线,以提高存储芯片的生产能力。三星最初表示希望从2021年下半年开始在2号生产线大规模生产V-NAND闪存芯片,但根据最近的报告,该公司可能能够比最初计划的更早开始批量生产。

三星仍然是全球第一大NAND闪存制造商,但竞争仍在继续。SK Hynix现在也在研究176层NAND,英特尔在今年早些时候宣布了其144层NAND闪存解决方案。