三星官方宣布已成功完成基于8nm工艺的最新射频技术开发。据三星称，这种先进的工艺技术将为 5G 通信提供“单芯片解决方案”。它专为支持多通道和多天线芯片设计而设计。三星的 8nm 5G RF 解决方案将把公司在 5G 半导体市场的领先地位从 Sub-6GHz 频段扩展到毫米波应用。
8nm 5G射频解决方案
三星的 8nm 5G RF 解决方案是目前广泛使用的 RF 相关解决方案的最新补充。三星拥有多种采用 28nm 和 14nm 工艺的射频解决方案。2017年以来，三星已经为高端智能手机出货了超过5亿颗移动终端射频芯片。
“通过卓越的创新和工艺制造，我们加强了我们的下一代无线通信产品，”……“随着5G毫米波的扩展，三星的8nm射频将成为客户很好的解决方案。尤其是那些希望在紧凑型移动终端上获得更长电池寿命和出色信号质量的用户。”
随着向高级节点的不断扩展，数字电路得到了显着的改进。这些改进体现在性能、功耗和面积 (PPA) 方面。然而，模拟/射频模块的开发已经停滞了一段时间。这主要是由于寄生效应降低(例如由于窄线宽导致的高电阻)。因此，大多数通信芯片往往会经历射频特性的劣化。接收频率放大性能通常会下降。此外，随着时间的推移，它会消耗更多的电力。这些都是制造商需要克服的挑战。
为了克服模拟/射频扩展的挑战，三星开发了一种独特的 8 纳米射频专用架构，称为 RFextremeFET (RFeFET)。该解决方案具有明显更好的射频特性。它还可以降低功耗。相对于 14 纳米 RF，三星的 RFeFET 补充了数字 PPA 扩展。同时还原模拟/射频扩展，实现高性能5G平台。
三星在新闻稿中写道，其工艺优化可最大限度地提高通道移动性，同时最大限度地减少寄生效应。RFeFET 性能有显着改善。此外，它大大减少了射频芯片中的晶体管总数以及模拟/射频块的面积。