互联网看点:三星S21详情曝光:首发骁龙875居中挖孔屏+双曲面设计

时间:2021-07-29 07:15:57来源:
导读一篇有关互联网,手机,科技方面文章给大家,相信很多小伙伴们还是对互联网,手机科技,这方面还是不太了解,那么小编也在网上收集到了一些

一篇有关互联网,手机,科技方面文章给大家,相信很多小伙伴们还是对互联网,手机科技,这方面还是不太了解,那么小编也在网上收集到了一些关于手机和互联网这方面的相关相信来分享给大家,希望大家看了会喜欢

高通骁龙875将在12月1日在骁龙技术峰会上推出,这将会是2021年安卓旗舰级的标配处理器,它的首发机型是Galaxy S21系列,想要了解更多的内容就来这里吧。

三星S21详情曝光:首发骁龙875,居中挖孔屏+双曲面设计

在10月9日,Mayur Gadhiya正式曝光三星Galaxy S21手机的正面屏幕图片,该爆料人表示,这只是三星Galaxy S21系列的标准版,而不是三星Galaxy S21+或者三星Galaxy S21 Ultra。

根据这次的爆料图片显示,三星Galaxy S21采用居中挖孔屏方案,而且采用双曲面设计,并没有使用屏下摄像头方案,采用了更加成熟稳定的挖孔屏设计,这意味三星会更加关注前置摄像头成像和正面屏幕的显示效果。

三星S21详情曝光:首发骁龙875,居中挖孔屏+双曲面设计

三星Galaxy S21系列将是首批采用高通骁龙875处理器的手机,但是该手机在一些地区还会采用Exynos 2100处理器这款处理器同样是5nm工艺制程,虽然综合性能比不上高通骁龙875处理器,但是也可以满足用户的使用需求。

三星Galaxy S21系列预计将会采用65W快充设备,虽然距离现在的120W还是有差距的,但是三星之前最快的充电器才45W,这将会是三星手机中充电速度最快的手机。

三星S21详情曝光:首发骁龙875,居中挖孔屏+双曲面设计

三星Galaxy S21系列预计将在2021年的第一季度发布,上市时间应该在2月份左右。

转载请注明出处。