互联网看点:台积电2nm工艺研发进展超预期或将采用GAA技术

时间:2021-06-22 02:27:44来源:
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众所周知,台积电目前已经可以生产5nm工艺制程的芯片,并且正在研发3nm和2nm工艺,而今日有媒体报道称台积电2nm工艺研发进展超预期,或将采用GAA(采用环绕栅极晶体管)技术,具体情况如何快和Xda小编一起看看吧。

台积电2nm工艺研发进展超预期,或将采用GAA技术

来自Digitimes的最新报道称,台积电2nm GAA工艺研发进度提前,目前已经结束了路径探索阶段。

GAA即环绕栅极晶体管,旨在取代走到尽头的FinFET(鳍式场效应晶体管)。FinFET由华人科学家胡正明团队研制,首发于45nm,目前已经推进到5nm。不过,据说台积电的3nm依然延续FinFET,但三星则会提前于3nm导入GAA技术。

台积电2nm工艺研发进展超预期,或将采用GAA技术

同多次提及的3nm工艺相比,台积电目前并未公布太多2nm工艺的消息,在此前的报道中,媒体提及的与台积电2nm工艺相关的信息,出现过两次,均是在8月底。其一是台积电已在谋划2nm工艺的芯片生产工厂,将建在总部所在的新竹科学园区,台积电负责营运组织的资深副总经理秦永沛,透露他们已经获得了建厂所需的土地。第二次是在上月底的台积电2020年度全球技术论坛上,他们透露正在同一家主要客户紧密合作,加快2nm工艺的研发进展,相关的投资也在推进。