三星拟率先量产3nm芯片制造工艺 性能较5nm预计提升30%

时间:2021-08-21 17:47:09来源:
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一篇关于互联网、手机和科技的文章是给大家看的。相信很多朋友对互联网和手机技术还是不太了解。然后边肖还在网上收集了一些关于手机和互联网的相关信仰,与大家分享。希望大家看完之后会喜欢。

据外媒报道,为苹果和华为生产芯片的TSMC近年来一直走在行业前列,率先量产7nm工艺,更先进的5nm工艺有望在今年一季度投产。

然而,在下一代3纳米芯片制造技术中,TSMC可能会面临三星的挑战,三星计划率先用这种先进技术制造芯片。

外媒在三星电子实际领导人李在镕视察韩国京畿道花城半导体R&D中心的报道中透露,三星计划率先量产3纳米技术。在当地时间周四的这次访问中,李在镕讨论了成为世界上第一个拥有3纳米技术的芯片制造商的战略。

据外媒报道,三星电子的3nm制程工艺将采用GAA架构,这也是目前FinFET技术的继承者,可以让芯片厂商发展成微芯片技术。

三星需要先量产5nm工艺,才能量产3nm工艺。三星去年4月完成了基于EUV技术的5nm FinFET工艺技术的研发,预计今年上半年量产。

三星表示,与5nm制程工艺相比,3nm GAA工艺可使芯片理论面积减少35%,能耗降低50%,性能提升30%。

周四参观位于花城的半导体R&D中心是三星电子披露的2020年李在镕首次正式出访。三星发言人表示,李在镕参观位于花城的R&D报告中心再次凸显了三星电子成为顶级非存储芯片制造商的决心。

亚马逊、脸书等没有芯片制造能力的科技巨头纷纷开始研发AI芯片和数据中心芯片,以更好地适应自身业务的发展,这也将导致芯片制造的需求增加。三星一直看好这一领域的发展,准备加大对芯片制造的投入。去年年底,三星电子宣布,计划未来10年投资133万亿韩元,约合1147亿美元,发展芯片制造业务。

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